Leistungshalbleiter sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch der Markt für MOSFET, IGBT & Co. ist sehr breit; es gibt eine Menge von Herstellern, die solche Komponenten in einer nicht zu überblickenden Vielfalt anbieten. Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Wie soll sich der Anwender in diesem »Dschungel« zurechtfinden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifizieren? Wo liegen die Vor- und Nachteile der unterschiedlichen Leistungshalbleiter-Lösungen?
Hilfestellung sollen Entwickler auf dem »Anwenderforum Leistungshalbleiter« erhalten, das die Markt&Technik sowie DESIGN&ELEKTRONIK vom 19. bis 20. November 2019 bereits zum dritten Mal in München veranstalten. Diese Konferenz soll die wichtigsten Grundlagen und Anwendungshinweise zu MOSFET & Co. vermitteln. Reicht noch ein Superjunction-MOSFET für die angestrebte Applikation, oder wäre der Übergang auf GaN-Transistoren sinnvoll? Würde der ausgewählte Treiber-IC auch mit anderen Leistungshalbleiter-Technologien funktionieren? Mit welchen Varianzen ist bezüglich den Angaben im Datenblatt zu rechnen? Welche Aspekte sind für eine qualifizierte Vorauswahl entscheidend, und welche weitergehenden Fragen an die Hersteller, erleichtern Entscheidungsfindung und Sourcing?
Melden Sie sich jetzt online an und erhalten Sie 10 % Rabatt auf die Teilnahmegebühr. Der Aktionscode für die Onlineanmeldung lautet: AFLSC2019.
Finden Sie hier das Programm des Anwenderforums Leistungshalbleiter 2019 und besuchen Sie das Intensivseminar von Tobias Fuhr (Finepower Engineering) zum Thema: Aktuelle und zukünftige Ladegeräte-Topologien für Industrie und Elektromobilität.
