1500V N-Kanal SiC-MOSFET für Hilfsspannungsversorgungen

Wir stellen Ihnen heute einen 1500V N-Kanal SIC MOSFET mit einem RDS(on) von 0,9 Ohm aus dem Hause MaxPower vor. Der MXP1500N0K9CL eignet sich ausgezeichnet für Hilfsspannungsversorgungen (Bias-Supply) in 3-phasig [...]

Juni 24th, 2021|

EPC veröffentlicht Stresstests von GaN-Bauteilen

EPC legt sehr großen Wert auf den Nachweis der Zuverlässigkeit seiner neuen GaN-Technologien. Deswegen werden Galliumnitrid-Bauteile unter extremer Spannung und Strombelastung auf Fehler getestet. Standard-Qualifikationstests für Halbleiter beinhalten typischerweise die [...]

Februar 9th, 2021|

EPC stellt neuen 170 V eGaN® FET für Highend- und Consumer-Stromversorgungen vor

170 V, 6,8 mΩ eGaN® FET EPC2059 ist kleiner, effizienter und kostengünstiger als derzeit erhältliche Bausteine für die hochleistungsfähige 48V-Synchrongleichrichtung. Efficient Power Conversion, führender Anbieter von Enhancement-Mode-Galliumnitrid-(eGaN-)Leistungs-FETs und -ICs, erhöht [...]

November 27th, 2020|
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