170 V, 6,8 mΩ eGaN® FET EPC2059 ist kleiner, effizienter und kostengünstiger als derzeit erhältliche Bausteine für die hochleistungsfähige 48V-Synchrongleichrichtung.

Efficient Power Conversion, führender Anbieter von Enhancement-Mode-Galliumnitrid-(eGaN-)Leistungs-FETs und -ICs, erhöht die Leistungsfähigkeit und senkt die Kosten seiner GaN-Transistoren mit der Einführung des eGaN FET EPC2059 (6,8 mΩ, 170 V). Der Baustein ist der jüngste einer Reihe von 100- bis 200V-Lösungen, die zahlreiche Leistungsstufen und Preisklassen abdecken. Sie erfüllen die steigenden Anforderungen von 48- bis 56V-Server- und Rechenzentrumssystemen sowie Netzteilen für Highend-Computer, einschließlich Gaming-PCs, LCD/LED-Fernseher und LED-Beleuchtung.

Der EPC2059 eignet sich für die sekundärseitige DC/DC-Synchrongleichrichtung in AC/DC-Adaptern, Schnellladegeräten und Netzteilen mit Leistungsbereichen zwischen 100 W und 6 kW. Der Leistungsvorteil von GaN-Bausteinen hilft Entwicklern, die hohen Anforderungen an den Wirkungsgrad von 80-Plus-Titanium-Netzteilen zu erfüllen und gleichzeitig kleinere, schnellere, kühlere und leichtere Systeme mit geringeren Systemkosten als derzeit verfügbare Lösungen bereitzustellen.

Alex Lidow, Mitgründer und CEO von EPC, dazu: „GaN im sekundärseitigen Synchrongleichrichter von AC/DC-Adaptern sorgt für erhebliche Leistungsvorteile. Bei einer Wandlung von 400 auf 48 V, die mit 1 MHz getaktet wird, ergeben sich mit GaN nur ein Sechstel der Verluste und 10 °C weniger Temperatur als bei einem Silizium-MOSFET mit äquivalentem Durchlasswiderstand. Entwickler können so die neuesten strengen Energieeffizienzstandards für Highend-Computing erfüllen, das ein immenses Wachstum in den Bereichen künstliche Intelligenz (KI), Cloud-Computing und Highend-Gaming verzeichnet.“

Entwicklungsboard

Das Entwicklungsboard EPC9098 ist für eine maximale Bauteilspannung von 170 V und einen maximalen Ausgangsstrom von 25 A ausgelegt. Die Halbbrückenkonfiguration mit integrierten Gate-Treibern umfasst die eGaN FETs EPC2059. Das Board misst 50,8 mm x 50,8 mm (2″ x 2″), ist für optimale Schaltleistung ausgelegt und enthält alle wichtigen Komponenten für die einfache Evaluierung des EPC2059.

Preis und Verfügbarkeit

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Über EPC

EPC ist Marktführer bei Power-Management-Bausteinen auf Basis von Galliumnitrid im Enhancement-Modus. EPC war der erste Hersteller, der Galliumnitrid-Silizium-(eGaN®-)FETs als Power-MOSFET-Ersatz in Anwendungen wie DC-DC-Wandlern, der drahtlosen Leitungsübertragung, Hüllkurvenverfolgung, der RF-Übertragung, in Leistungs-Wechselrichtern, der LIDAR-Fernerkundungstechnologie und Class-D- Audioverstärkern mit einer Leistung der Bausteine einführte, die um ein Vielfaches höher ist als die der besten Silizium-Leistungs-MOSFETs. EPC verfügt außerdem über ein wachsendes Portfolio an eGaN-basierten integrierten Schaltungen, die noch mehr Platz, Energie und Kosteneffizienz bieten.

eGaN ist ein eingetragenes Warenzeichen der Efficient Power Conversion Corporation, Inc.