Efficient Power Conversion (EPC) erweitert die AEC Q101-Produktfamilie um den für erschwingliche, leistungsstarke Lidar-Systeme optimierten 15-V-Galliumnitrid-Transistor EPC2216

 

EL SEGUNDO, Kalifornien, USA –  15 Oktober 2019 – EPC gibt die erfolgreiche AEC Q101-Qualifizierung des 15-V-EPC2216 für Lidar-Anwendungen bekannt, bei denen eine höhere Genauigkeit von entscheidender Bedeutung ist, wie beispielsweise bei selbstfahrenden Automobilen und anderen Time-of-Flight-(TOF-)Anwendungen wie Gesichtserkennung, Lagerautomatisierung, Drohnen und Kartographie.

Der EPC2216, ein eGaN-FET mit 15 V, 26 mΩ sowie einer gepulsten Nennstromstärke von 28 A auf einer winzigen Montagefläche von 1,02 mm² eignet sich hervorragend zum Zünden der Laser in Lidarsystemen, da der FET getriggert werden kann, um Hochstrom mit extrem kurzen Pulsbreiten zu erzeugen. Diese kurze Pulsbreite führt zu einer höheren Auflösung, und durch ihre geringe Größe und die niedrigen Kosten eignen sich eGaN-FETs ideal für Laufzeit-Anwendungen, vom Automotive-Bereich über die Industrie, das Gesundheitswesen bis hin zu intelligenter Werbung, Gaming und Sicherheit.

Um die AEC Q101-Prüfung zu vervollständigen, wurden die eGaN-FETs von EPC strengen Umwelt- und Vorspannungs-Stresstests unterzogen, einschließlich Feuchtigkeitstests mit Vorspannung (H3TRB), Hochtemperatur-Umkehrvorspannung (HTRB), Hochtemperatur-Gate-Vorspannung (HTGB), Temperaturzyklen (TC) sowie zahlreichen anderen Prüfungen. Bemerkenswert ist, dass die WLCS-Gehäuse von EPC dieselben Prüfstandards bestanden haben, die für konventionell verpackte Teile gelten. Das beweist, dass die überlegene Leistung des Chip-Scale-Packaging die Robustheit und Zuverlässigkeit nicht beeinträchtigt. Diese eGaN-Bausteine werden in Anlagen hergestellt, die nach dem Automotive Quality Management System Standard IATF 16949 zertifiziert sind.

Alex Lidow, CEO und Mitgründer von EPC, erklärt: „Dieses neue Automotive-Produkt fügt sich in eine schnell wachsende Familie von EPC-Transistoren und integrierten Schaltungen ein, die darauf ausgelegt sind, eine autonome Ansteuerung zu ermöglichen, die Auflösung zu verbessern und die Kosten in allen Time-of-Flight-Anwendungen zu senken“.

 

Preis und Verfügbarkeit

Der eGaN-FET EPC2216 liegt preislich bei je $0,532 pro 2.5Ku/Spule und ist ab sofort von Digi-Key erhältlich unter http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

 

Hier finden Sie das eGan FET DATASHEET.

 

Über EPC

EPC ist führend bei Power-Management-Bausteinen auf Basis von Galliumnitrid im Enhancement-Modus. EPC war der erste Hersteller, der Galliumnitrid-Silizium-(eGaN®-)FETs als Power-MOSFET-Ersatz in Anwendungen wie DC-DC-Wandlern, der drahtlosen Leitungsübertragung, Hüllkurvenverfolgung, der RF-Übertragung, in Leistungs-Wechselrichtern, der LIDAR-Fernerkundungstechnologie und Class-D- Audioverstärkern mit einer Leistung der Bausteine einführte, die um ein Vielfaches höher ist als die der besten Silizium-Leistungs-MOSFETs. EPC verfügt außerdem über ein wachsendes Portfolio an eGaN-basierten integrierten Schaltungen, die noch mehr Platz, Energie und Kosteneffizienz bieten.

Besuchen Sie unsere Website: www.epc-co.com.

eGaN ist ein eingetragenes Warenzeichen der Efficient Power Conversion Corporation, Inc.

 

Pressekontakt:DS-EPC2216

Efficient Power Conversion

Renee Yawger

Tel: +1.908.475.5702

E-Mail: renee.yawger@epc-co.com